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今年DRAM、NAND Flash的兩樣情

繼2017年DRAM、NAND Flash雙雙呈現價量齊揚,推升全球半導體銷售額強勁成長,並首度超越4,000億美元大關之後,2018年DRAM、NAND Flash價格則呈現兩樣情,出現一漲一跌的局面,其中的關鍵則是供給端的部分,特別是國際大廠是否突破製程瓶頸,將攸關整體市場的供需結構。

首先在DRAM市場方面,2018年Samsung將DRAM產線轉換為影像感測器產線,使DRAM投片量減少,不過減少的部分將由華城16產線與平澤1廠二樓的增設投資彌補,但整體而言,2018年Samsung的新增DRAM產能仍是有限,加上SK Hynix的新廠產能恐須待2019年才可望量產,甚至來自於中國DRAM產能的開出,仍有相當的疑慮,因而2018年全球DRAM供給端的增加依舊在可控制的範圍內。而2018年全球DRAM需求端除手機配備持續提高之外,資料中心布建需求亦是推動來源,更重要的是,雖然中國對於挖礦熱祭出重罰,不過比特大陸將推出以太礦機,一個特殊應用積體電路晶片就需搭載172顆1 GB的DDR3晶粒,藉以提升運算效能來看,仍有利於2018年全球DRAM的需求表現。

綜而言之,由於2018年底前國際三大DRAM廠新產能開出極為有限,僅靠製程微縮增加的部分,因此2018年以來全球DRAM價格仍延續2016年下半年以來上揚的走勢,不管是首季或是第二季,DRAM價格季增率均達到5~10%,顯然DRAM市況優於年初預期。

另外2018年DRAM市場值得留意的尚有中國發展的態勢,儘管中國在無技術授權來源、記憶體人才短缺之下,2018年底~2019年中國要進入記憶體國產化的量產恐有疑慮;不過為此,中國官方也頻頻出招,即中國反壟斷機構已經盯上Samsung、SK Hynix與Micron等三家DRAM大廠,甚至傳出恐面臨8億~80億美元的罰款,表面上雖是在解決中國終端應用廠商面臨記憶體飆漲的窘境,但實際上恐是預留未來中國記憶體廠爭取談判的籌碼;事實上,因先前中國智慧型手機企業飽受記憶體產品短缺的困惱,且記憶體對國家資訊安全的重要性高,更何況記憶體為中國實現半導體自給率提升的重要關鍵產品,特別是受到中興電訊事件的影響,更加激起對岸發展半導體核心產品的動能,故中長期來說,中國勢必會竭盡所能積極發展記憶體,此決心仍不容忽視。

其次在NAND Flahs市場方面,儘管受惠於智慧型手機搭載容量與伺服器需求的帶動,以及SSD滲透率提高,拉抬對於NAND Flash的需求,但2018年以來全球NAND Flash市場已呈現供過於求的局面,主要是國際大廠加速更高層堆疊及四階儲存單元(QLC)產品開發,以求提升3D NAND儲存密度及降低生產成本,故以32G(4G*8)MLC(美元/個)收盤價而言,則由2017年8月的3.10美元/個降至2018年5月的2.74美元/個,甚至2018年第三季全球NAND價格恐難以反轉向上,主要係因更多64層和72層3D NAND產能相繼釋出,甚至單顆容量更大、成本更具競爭力的3D-QLC Flash技術,預計最快2018年下半邁入量產所致。

值得一提的是,Toshiba記憶體標售案已於2018年5月中旬獲得中國核准,整體交易案確定於2018年6月1日完成,也意謂Bain Capital、SK Hynix、日本政策投資銀行(DBJ)及日本產業革新機構(INCJ)等將陸續入主,美日韓聯盟儼然成立,但複雜的股權交易與多頭馬車式資本組成,是否能有效提升Toshiba記憶體在全球NAND Flash的市場競爭力,以及未來Toshiba記憶體如何與WD繼續合作,運用此結盟關係,將有待後續觀察。

聚焦於國內外半導體業、兩岸不動產業的議題,針對產業事件、趨勢、景氣提出客觀分析,並論述政策建言,期望能為產業界、國家貢獻一己之力。

劉佩真

台灣經濟研究院研究員、APIAA理事